砷化鎵 GaAs。黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料,用來(lái)制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應(yīng)器件。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中，兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導(dǎo)熱性差，不適宜制作大功率器件。

  銻化銦InSb,熔點(diǎn)：535℃，銻和銦的化合物。金屬銻和銦在高溫熔合而得。一般為云母的結(jié)晶體。除了具備砷化鎵的基本特性外，靈敏度更高。

  砷化銦 InAs，由銦和砷構(gòu)成的Ⅲ一V族化合物半導(dǎo)體材料。InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效應(yīng)和小的電阻溫度系數(shù)，是制造霍爾器件和磁阻器件的理想材料。InAs的發(fā)射波長(zhǎng)3.34μm，在InAs襯底上能生長(zhǎng)晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纖通信用的激光器和探測(cè)器。相對(duì)于霍爾的電流傳感器，砷化銦綜合了砷化鎵和 銻化銦的

 霍爾的電流傳感器芯片，基本都是以上三種，這是構(gòu)成霍爾傳感器主要核心器件，從上世紀(jì)80年代到現(xiàn)在，幾乎無(wú)可替代。

  可惜這些芯片的技術(shù)始終在日本一方，隨著市場(chǎng)不斷的擴(kuò)大延伸，日本對(duì)于以上霍爾器件的把握能力越來(lái)越強(qiáng)，逐漸變成目前一家獨(dú)秀，壟斷的局面。

  國(guó)內(nèi)目前也有廠(chǎng)家嘗試生產(chǎn)，技術(shù)也是有的，但能不能實(shí)現(xiàn)和這些高 端芯片的替換，需要時(shí)間，也需要耐心。。。。

   未完待續(xù)。。。。